半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)是以數(shù)十次至數(shù)百次的鍍膜,光刻,蝕刻,去膜,平坦等為主要工序,膜層的厚度,均勻性等直接影響芯片的質(zhì)量和產(chǎn)量,在加工中必須不斷地檢測(cè)及控制膜層的厚度。光學(xué)薄膜測(cè)厚儀是半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中對(duì)芯片晶圓及相關(guān)半導(dǎo)體材料的鍍膜厚度等進(jìn)行檢測(cè)的*的設(shè)備之一。
半導(dǎo)體光學(xué)薄膜測(cè)厚儀技術(shù)主要有光譜反射儀和橢偏儀兩種。橢偏儀考慮了光的極化,采用P波和S偏振反射光之間的相位差異,適用于非常薄的薄膜,并可直接測(cè)試N,K值。光譜反射儀雖然沒(méi)有橢偏儀的這些性能,但也能測(cè)量數(shù)納米以下的薄膜厚度,測(cè)量精度高,而且測(cè)量速度較快。
采用光譜反射儀原理的全自動(dòng)薄膜測(cè)厚儀。除了可以測(cè)量薄膜厚度及其光學(xué)、電子和材料屬性外,也可測(cè)量關(guān)鍵尺寸、結(jié)構(gòu)、疊對(duì)、形貌和各種鍍膜屬性。本設(shè)備主要應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路芯片、LED,高亮液晶面板、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置和太陽(yáng)能光電元件等的加工制造行業(yè)。尤其是嵌入半導(dǎo)體工藝設(shè)備(如CMP,Etcher等)內(nèi)的同機(jī)測(cè)厚儀的使用,可使半導(dǎo)體制造廠商大幅提高產(chǎn)品良率,增加效率并降低制造成本。